Uniform patterned growth of CNT without surface carbon
Applied Physics Letter, Volume 79, Number 10, 3 September 2001
0003-6951/2001/79(10)/1534/3/$18.00
DOI: 10.1063/1.1400085
K.B.K. Teo, M. Chhowalla, G.A.J.Amaratunga, W.I.Milne
- Apa yang menjadi Research Problem
1. Apakah melalui pola litografi penumbuhan CNT yang seragam dengan arah
yang sejajar dapat dilakukan tanpa deposisi carbon amorf (a-C)
2. Apakah dengan menggunakan rasio gas C2H2
:NH3 yang tepat dapat mengeliminasi carbon amorf (a-C).
- Apa tujuan penelitian dilakukan
2. Mengetahui ketiadaan carbon amorf a-C dengan memanfaatkan rasio gas C2H2:NH3 yang tepat.
3. Apa batasan/asumsi penelitian yang dilakukan
1. Menggunakan metode PECVD
2. Menggunakan gas C2H2 15%, 30%, 50% dan 75%.
3. Penumbuhan CNT sampai pada temperatur 700oC
4. Apa hipotesa awal yang diajukan
1. Terjadi penumbuhan CNT yang seragam dengan arah yang sejajar di lokasi
yang tepat pada substrat Si melalui pola litografi tanpa deposisi carbon
amorf (a-C)
2. a-C hampir sepenuhnya dapat dihilangkan dari daerah yang tidak
diinginkan dengan memanfaatkan pendekatan rasio gas deposisi dengan gas
untuk mengetsa.
5. Apakah hipotesa tersebut ditolak atau diterima
Ya, diterima.
6. Apa kesimpulan secara umum
1. Metode PECVD telah berhasil menumbuhkan CNT dengan arah yang sejajar
2. Rasio antara gas C2H2 dengan NH3 yang
sesuai berpeluang untuk menghilangkan permukaan karbon yang tidak
diinginkan pada substrat di daerah yang tidak dipetakan
3. CNT dengan arah vertikal dan single telah berhasil
dideposisikan
7. Apa yang dapat dilakukan untuk penelitian lanjutan
Mengkarakterisasi CNT single yang telah dideposisikan
8. Apa yang harus anda lakukan jika akan melakukan penelitian lanjutan
Mengkarakterisasi sifat konduktivitas CNT yang dihasilkan untuk menghasilkan bahan semikonduktor dalam pembuatan device sel surya.
Tidak ada komentar:
Posting Komentar